Samsung стартира производството на нова eUFS 3.1 флаш памет за смартфони

Samsung дава начало на масовата продукция на чипове с по 512 GB eUFS 3.1 флаш памет. Тя ще се използва в следващите флагмани на компанията. Паметта е от типа V-NAND, който успешно се прилага в серията SSD дискове Samsung Evo, и се произвежда в Кси’ан в Китай (като се очаква да се премести в Корея […]

Материалът Samsung стартира производството на нова eUFS 3.1 флаш памет за смартфони е публикуван за пръв път на kaldata.com.